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　　　　这几天在媒体接连不断的跟踪报道，几乎把三星集团所有的黑幕都挖出来，很多事情都让人看的非常触目惊心。

　　　　华夏的消费者开始仔细思考，他选择智能手机的种类，大部分人已经不在购买三星集团的产品。

　　　　毕竟智能手机的厂商实在是太多，三星公司的手机又不是最先进的。消费者当然选择更好的手机。

　　　　韩国三星集团总部，三星集团实际控制人李在镕亲自主持会议。

　　　　他严肃地说道：“智能电子业务是我们集团最大的利润提供产品之一。

　　　　现在全球智能电子设备市场发生重大变化。在华夏出现新品种电子设备后，整个市场迎来了洗牌。

　　　　我们三星一定要把握好这次机会，让集团紧跟这次设备的风潮。技术方面的人一定要尽快取得突破，制造出我们的人工智能设备。”

　　　　李在镕说完这个问题后。他脸色微变，用手重重的拍在桌子上，有些生气的说道：“大中华区的负责人怎么办的事情，我们在华夏地区的智能手机销售额急剧下降，出现这种反常的事情，为什么没有提前做好应对，导致集团受到巨大的损失。”

　　　　大中华区负责人金炳聪也来参加这个会议，他站起身冲着大家鞠躬道：“真是对不起，由于我的工作失误，给大家添麻烦了。

　　　　我现在简单介绍一下华夏地区发生的事情。这次是由于清瓷科技所领导的智能设备产业联盟，对我们发起的商业战争。

　　　　他们从广告、媒体行业、公司黑幕、知识产权等各种领域向我们发起进攻。

　　　　他们的主要目的就是把我们智能手机等产品赶出华夏市场，甚至要夺取我们在国际上的市场。

　　　　我已经进行紧急公关，但是这些企业一起形成的资本力量十分巨大。

　　　　华夏又是他们本场，具有极大的优势。最关键的是我们智能手机质量比不上他们智能设备的质量，已经被大多数消费者抛弃。

　　　　遇到这种情况，我也无能为力呀。”

　　　　听到金炳聪说完之后，三星集团有高管提议撤换金炳聪。让他负责丢失华夏市场份额的责任。

　　　　有的高管认为，让出一部分利益和华夏公司进行合作。他们还是能合作共存的。

　　　　李在镕眼睛一瞪，严肃的说道：“大家都停止争吵，我们要度过这次难关。最关键是解决事情

　　　　这对我们集团来说只是一个小事情，它可远远比不上前几年nte7产品造成的风暴。”

　　　　听到李在镕的话，三星集团众多高管都想到nte7智能手机所造成的风暴。

　　　　那时他们生产的智能手机被多家美媒曝光，手机中的锂电池有爆炸隐患。

　　　　本来这种事情给一些公关费，就可以把这些新闻压下去。大众不会知道，又不会主动了解这些事情。这样就不会对他们造成什么影响？

　　　　只要快速的补偿好受到伤害的消费者。遇到死硬分子绝不承认。这样不会出现严重的问题。

　　　　但由于当时的政治原因，美国开始向他们财团施压。直接通过媒体引爆了这个事情。

　　　　那时他们公司的智能手机立刻滞销，积压了很多产品。要是他们集团只是一个单纯的手机公司，早已经破产。

　　　　全靠储存芯片涨价，弥补了他们公司的利益。最后年度统计，整体利益反而还增长许多。

　　　　20下半年到207年以来华夏市场手机、计算机等电子产品以及大数据云服务等强劲增长。

　　　　电子产品出货量高速的增长带动了相关元器件需求，它们需要功能更强大、可存储更多数据的芯片。

　　　　储存芯片行业规模达220亿美元，自20年中以来经历了一段前所未有的繁荣，单207年增速就将近70％。

　　　　那时他们三星集团手机业务在华夏市场已经折戟成沙。但是他们却选择推高储存芯片等手机元器件的价格，以及控制对华夏市场的供给量。

　　　　几乎长达一年半时间，智能手机屏幕、内存、闪存等元器件就面临缺货与涨价，这给产业链完善的三星集团贡献了不菲的利润。

　　　　内存供给方面只有三星、海力士以及美光三家厂商，他们已经形成价格战略联盟。垄断了整个储存芯片供应市场。。。

　　　　金炳聪听到李在镕这么说，他立刻高兴的提出解决办法。

　　　　“我们完全不需要惧怕华夏的公司，他们生产的智能设备肯定要大规模的应用储存芯片。

　　　　我们完全可以复制前几年的做法，达到不战而屈人之兵的目的。

　　　　我们公司掌握着储存芯片的定价权，既然在手机方面吃亏。我们就用储存芯片的提价来保证公司的利益。

　　　　也许储存芯片这个智能设备必备的元器件，可以压迫华夏企业对我们开放智能眼镜等智能设备的专利。”

　　　　李在容满意的点点头，他向着众多集团高管问道：“你们觉得这个主意怎么样。”

　　　　三星集团的高管们，经过仔细的商量后，都认为这种办法是应对现在情况的唯一办法。

　　　　他们和美光、海力士等储存芯片生产厂商已经达成价格战略联盟。只要他们上调价格，这两家公司立刻就会跟上。

　　　　作为一个大型跨国集团，他们绝对不能怂。再说他们也认为自己集团还有一战之力，绝不服输。

　　　　李在容沉吟片刻，向公司的管理层问道：“华夏的紫光公司现在已经制造出32维储存芯片，会不会对我们的计划产生干扰。”

　　　　三星电子首席工程师立刻傲慢的回复道：“李总放心，华夏紫光集团芯片产量非常低，性能还比我们的芯片差很多。华夏那些公司要是使用紫光的芯片，那他们是自寻死路。”

　　　　李在镕听到这个消息，显得非常高兴。

　　　　集团达成共识之后，李在镕立刻下定决心，就用这种办法对付联盟。

　　　　三星集团立刻向外公布，由于技术原因。

　　　　他们会上调储存芯片的价格同时限制供货量。

第335章　稳定人心（）　
9月8日，清瓷科技的会议室内，苏小婉在主持会议，联盟的众多公司代表都来到这里开会。

　　　　他们进行这次联盟发起商业战争的阶段性总结工作。同时安排联盟所属公司下一步行动计划。

　　　　苏小婉展开虚拟光幕，丹凤眼放出自信的光芒，昂首挺胸说道：“多谢大家这段时间的努力，我们通过各种方法，已经抢占三星集团智能手机在华夏市场89％的份额。

　　　　现在看来已经基本排挤掉三星集团占据的市场。他们在华夏市场已经变成三流手机企业。

　　　　你们各家企业正在不断的开阔着海外市场，我们通过我们把华夏市场发生的事情，不断向海外进行引导。

　　　　短短几天就取得了重大的进步，现在我们联盟智能设备在海外占据的市场，已经比你们以前各个公司加起来还要多。

　　　　合作才能共赢，大家要齐心协力，打好这次商业战争。”

　　　　中兴集团的代表张伟利笑着说道：“我们是在合作共赢，结局是双赢，皆大欢喜。

　　　　只不过这个双赢是你们公司赢两次，我们站一旁摇旗呐喊。”

　　　　他说完之后，参加会议的人都哄笑起来。知道他这是在开玩笑，虽然这次合作清瓷科技占据大头。

　　　　但他们通过这些合作，已经比以前获得的利益多了许多。

　　　　小米公司代表吴羽说道：“我们最开心的就是正式打进欧洲市场，以前我们公司只能进入南亚市场和非洲市场。在欧洲市场销售量十分稀少。

　　　　我知道这次商业战争起到的宣传作用很大，我们直接把以前处在领先地位的三星集团打倒。

　　　　大部分外国人都是畏威而不怀德，他们十分崇拜强者。韬光养晦这种策略在外国人身上完全没有作用。

　　　　只要显示出自己的本事，才能在外国市场吃的香。毕竟他们一直崇尚社会达尔文主义，讲的是经过文明伪装的丛林法则。你谦虚，他们还以为你本来就弱小。”

　　　　“吴先生说的非常不错，我们就是要展示出自己的能力，这样企业才能更好的在国外发展。”苏小婉赞叹了一句。

　　　　她随后向众人说道：“我们刚刚得到消息，三星集团不出我们的预料，他们开始提升储存芯片的价格，并严格控制生产数量。

　　　　想要以储存芯片限制我们，他们打的算盘绝对不会成功。”

　　　　苏晓婉缓了缓，她继续说道“我们现在已经和紫光集团合作，他们生产的储存芯片足够我们联盟使用。

　　　　我们公司经过对紫光集团生产的储存芯片进行特殊的优化，软件和硬件都能更好的支持紫光集团所生产的储存芯片。”

　　　　苏小婉这是在给他们打气，紫光集团早已经生产储存芯片，但大部分企业都应用在低端的手机上。

　　　　其实紫光集团的存储芯片用在高端手机上，完全没有问题。

　　　　只不过消费者天然的觉得国产芯片不好，这也导致众多手机厂商，他们不爱在高端机型上使用国产储存芯片。

　　　　现在清瓷科技就要纠正这种情况，通过软硬件的调试，让他们可以更好地发挥出紫光集团的储存芯片性能。

　　　　趁着发售智能设备，消费者无法选择的机会。推广国产的紫光储存芯片。

　　　　就像以前联发科的芯片，他们被所有手机厂商用在低端机。消费者就以为所有使用联发科芯片的都是低端机。

　　　　众多厂商的代表，听到苏小碗这么说，他们立刻热烈地鼓起掌声。

　　　　毕竟谁也不愿意受到三星的钳制。

　　　　苏小婉打开虚拟光幕，上面展示着一个橙色的芯片。

　　　　她微笑的看着大家说道：“我们公司现在已经研制成功，高端的储存芯片。

　　　　等我们集团微电子公司工厂正式建立后，它不止会生产高效的智能芯片，还会生产这种半导体储存芯片。

　　　　有这种芯片的存在，你们完全不需要担心以后高端智能设备所用的元器件。

　　　　只要大家坚持下去，挺过这次危机。以后的前途会非常光明。”

　　　　苏小婉说完，虚拟光幕上开始播放这个半导体储存芯片的性能。

　　　　这种半导体储存芯片采用p相变内存，性能是普通存储芯片的00万倍。

　　　　它由研发科技材料与化学实验室研发，它是一种新的二维非易失性存储芯片。

　　　　科研人员们采用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，是传统二维存储芯片的00万倍，而且性能更长，刷新时间是内存的5倍，也就是说具备更强的耐用性。

　　　　他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理，因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰。

　　　　所以郭建濯带领的科研团队使用的是半浮栅极晶体管技术，他们据此展示一种具有范德·瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构，这种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。

　　　　具体来说，与dra内存相比，它的数据刷新时间是前者的5倍，也就是能保存更长时间的数据，同时具备纳秒级的写入速度，而nand闪存的延迟一般在毫秒级，性能远远超出。

　　　　它与传统二维材料相比，其速度快了00万倍。所以这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。

　　　　这是在储存芯片领域极大的进步，特别是这种采用新技术的半导体储存芯片使用他们公